München (aktiencheck.de AG) - Die Halbleiter-Konzerne Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. (ISIN SG1H23874727/ WKN 929000), Infineon Technologies AG (ISIN DE0006231004/ WKN 623100), Samsung Electronics Co. Ltd. (ISIN US7960502018/ WKN 881823) und die International Business Machines Corp. (IBM) (ISIN US4592001014/ WKN 851399) gaben am Dienstag bekannt, dass sie erste komplexe Schaltungen mit einer Strukturbreite von 45 Nanometer realisiert und ein erstes Design-Kit für diese Technologie entwickelt haben.
Basis ist dabei eine gemeinsam entwickelte Low-Power-Prozesstechnologie. Die frühe Verfügbarkeit sowohl erster Schaltungen in Silizium als auch der Design-Kits ermöglicht Chip-Designern einen zügigen Einstieg in die 45-nm-CMOS-Prozesstechnologie. Die ersten Design-Kits sind Ergebnis der gemeinsamen Kooperation der vier Partnerunternehmen in der Entwicklungsallianz und stehen Schlüsselkunden zur Verfügung.
Die ersten funktionalen Schaltungen in 45-nm-Technologie wurden in der 300-mm-Fertigung von IBM in East Fishkill, New York, hergestellt, wo auch das gemeinsame Entwicklungsteam angesiedelt ist. Zu den erfolgreich verifizierten Schaltungsblöcken gehören Standardzellen und I/O-Elemente von Infineon sowie Embedded-Speicher, die von der Entwicklungsallianz entwickelt wurden. Infineon hat auf den ersten 300-mm-Wafern spezielle Schaltungen beigesteuert, mit denen sich der Prozess besser analysieren lässt und die es erlauben, weitere Rückschlüsse zur Interaktion zwischen Produkt und Architektur zu ziehen.
Die Aktie von Infineon notiert aktuell mit einem Plus von 1,55 Prozent bei 9,17 Euro, während die Anteilsscheine von IBM aktuell 0,25 Prozent auf 80,52 Dollar zulegen können. (29.08.2006/ac/n/d)
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