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02.07.2009 09:30

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DGAP-News: AIXTRON AG


DGAP-News: AIXTRON AG: Epistar erteilt neuen Auftrag über mehrere Anlagen - Feier zur 150. AIXTRON MOCVD-Produktionsanlage

AIXTRON AG / Vertrag

02.07.2009

Veröffentlichung einer Corporate News, übermittelt durch die DGAP - ein Unternehmen der EquityStory AG. Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich. ---------------------------------------------------------------------------

Aachen, 2. Juli 2009 - Das taiwanesische Unternehmen Epistar, mit Sitz im Hsinchu Science-based Industrial Park, hat kürzlich einen weiteren Auftrag über mehrere AIXTRON-Anlagen erteilt. Die Auslieferung der im zweiten Quartal erteilten Bestellung beginnt im dritten Quartal und wird sich über das Jahr 2009 erstrecken. Dieser Auftrag umfasst CRIUS(R) Close Coupled Showerhead(R) (CCS)-Anlagen und AIX 2800G4 HT Planetary Reactor(R)-Anlagen zur Massenproduktion von LEDs auf Basis von Galliumnitrid (GaN).

In einer gesonderten Feierstunde in Taiwan überreichte AIXTRONs COO Dr. Bernd Schulte Epistars Vorsitzendem Dr. B.J. Lee kürzlich eine Auszeichnung anlässlich der 150 Anlagen, die Epistar von AIXTRON erhalten hat.

Dr. B.J. Lee führt aus: 'Wir freuen uns auf die Lieferung unserer neuesten AIXTRON Multiwafer MOCVD*-Anlage. Unsere beiden Unternehmen verbindet eine langjährige Partnerschaft und AIXTRON hat uns stets mit erstklassigen Anlagen beliefert. Unser Vertrauen in AIXTRONs Service und technologisches Know-how ist sehr groß. Beides bildet die Grundlage für unseren Erfolg in der Massenproduktion von sehr hochwertigen ultrahellen (UHB**) LEDs. Wir sind sicher, dass auch die 150. Anlage ebenso nützlich wie die allererste sein wird und wir freuen uns auch auf die Inbetriebnahme der kürzlich bestellten Anlagen in naher Zukunft.'

Dr. Bernd Schulte, AIXTRONs Executive Vice President und COO, ergänzt: 'Epistar ist einer der weltweit führenden Hersteller von ultrahellen LEDs. Es war eine große Freude, diese Auszeichnung zur 150. Anlage zu überreichen. Epistar hatte bereits mit unserem Anlagentyp AIX 2600G3 hellste AlInGaP-LEDs am Markt produziert und hat ebenfalls extrem leistungsstarke GaN-Produkte auf AIXTRONs Nitride Planetary Reactor(R)-Anlagen entwickelt. Wir sind sehr stolz darauf, dass wir über die letzten Jahre einen Beitrag zu Epistars Erfolg leisten konnten.'

Epistar Corporation hat sich auf die Entwicklung, Herstellung und den Vertrieb von ultrahellen LED-Produkten spezialisiert. Dank seiner eigens entwickelten MOCVD-Technologie vermarktet Epistar erfolgreich das gesamte Spektrum ultraheller LEDs, die sich durch ihre kompakte Größe, geringen Energieverbrauch und Langlebigkeit auszeichnen. *MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung ** UHB-LEDs, Ultra High Brightness LEDs = ultrahelle Leuchtdioden

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter http://www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen Diese Mitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der 'Safe Harbor'-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie 'können', 'werden', 'erwarten', 'rechnen mit', 'erwägen', 'beabsichtigen', 'planen', 'glauben', 'fortdauern' und 'schätzen', Abwandlungen dieser Begriffe und ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Die zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die nachgenannten Faktoren ebenso wie die weiteren in den von AIXTRON bei der U. S. Securities and Exchange Commission eingereichten öffentlichen Berichten und Meldungen genannten gehören zu denjenigen Faktoren, die zur Folge haben können, dass die tatsächlichen und künftigen Ergebnisse und Trends wesentlich von unseren zukunftsgerichteten Aussagen abweichen: Die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge; der Umfang der Marktnachfrage nach Chemical Vapor Deposition (CVD)-Technologie; der Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden; das Finanzmarktklima und die Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; die allgemeinen Marktbedingungen für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und das makroökonomische Umfeld; Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen; Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Veränderungen beim Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs; Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit öffentlicher Mittel; Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte; schlechtere allgemeine wirtschaftliche Bedingungen als erwartet und sonstige Faktoren. Die in dieser Mitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen haben Gültigkeit im Zeitpunkt dieser Mitteilung und AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, ausgenommen bei Bestehen einer entsprechenden rechtlichen Verpflichtung.

Kontakt: Investor Relations and Corporate Communications AIXTRON AG, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com www.aixtron.com

02.07.2009 Finanznachrichten übermittelt durch die DGAP

--------------------------------------------------------------------------- Sprache: Deutsch Emittent: AIXTRON AG Kaiserstr. 98 52134 Herzogenrath Deutschland Telefon: +49 (241) 8909-444 Fax: +49 (241) 8909-445 E-Mail: invest@aixtron.com Internet: www.aixtron.com ISIN: DE000A0WMPJ6, US0096061041 WKN: A0WMPJ Indizes: TecDAX Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, Stuttgart, München, Düsseldorf; Terminbörse EUREX; Auslandsbörse(n) Nasdaq Ende der Mitteilung DGAP News-Service ---------------------------------------------------------------------------

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