12.11.2012 13:02
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Infineon setzt mit 650V TRENCHSTOP 5 Technologie neue Maßstäbe für die Effizienz von IGBTs; Schaltverluste sinken um mehr als 60 Prozent

Neubiberg, 12. November 2012 - Die Infineon Technologies AG präsentiert mit TRENCHSTOP 5 die nächste Generation von IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) auf Dünnwaferbasis. Diese zeichnet sich unter anderem durch deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste im Vergleich zu bisher verfügbaren IGBTs aus. ...

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Quelle: Infineon

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03.08.2015Infineon Technologies buyWarburg Research
03.08.2015Infineon Technologies OutperformBNP PARIBAS
03.08.2015Infineon Technologies HoldKepler Cheuvreux
03.08.2015Infineon Technologies NeutralMerrill Lynch & Co., Inc.
31.07.2015Infineon Technologies OutperformCredit Suisse Group
03.08.2015Infineon Technologies buyWarburg Research
03.08.2015Infineon Technologies OutperformBNP PARIBAS
31.07.2015Infineon Technologies OutperformCredit Suisse Group
31.07.2015Infineon Technologies OutperformBNP PARIBAS
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03.08.2015Infineon Technologies HoldKepler Cheuvreux
03.08.2015Infineon Technologies NeutralMerrill Lynch & Co., Inc.
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30.07.2015Infineon Technologies HaltenBankhaus Lampe KG
30.07.2015Infineon Technologies HaltenIndependent Research GmbH
31.07.2015Infineon Technologies UnderweightMorgan Stanley
01.07.2015Infineon Technologies UnderweightMorgan Stanley
08.05.2015Infineon Technologies UnderweightMorgan Stanley
05.05.2015Infineon Technologies VerkaufenBankhaus Lampe KG
13.03.2015Infineon Technologies VerkaufenBankhaus Lampe KG
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