12.11.2012 13:02
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Infineon setzt mit 650V TRENCHSTOP 5 Technologie neue Maßstäbe für die Effizienz von IGBTs; Schaltverluste sinken um mehr als 60 Prozent

Neubiberg, 12. November 2012 - Die Infineon Technologies AG präsentiert mit TRENCHSTOP 5 die nächste Generation von IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) auf Dünnwaferbasis. Diese zeichnet sich unter anderem durch deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste im Vergleich zu bisher verfügbaren IGBTs aus. ...

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20.11.14
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