TOYOTA setzt im neuen bZ4X-Modell auf Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Infineon
Werte in diesem Artikel
München und Tokio, Japan 9. Februar 2026 Die Infineon Technologies AG hat heute bekannt gegeben, dass ihre CoolSiC-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), im neuen bZ4X-Modell von Toyota, dem weltweit größten Automobilhersteller, zum Einsatz kommen. Die SiC-MOSFETs werden im On-Board-Ladegerät (OBC) und dem DC/DC-Wandler eingesetzt und nutzen die Vorteile des Materials wie geringe Verluste, eine hohe thermische Belastbarkeit und eine hohe Spannungsfestigkeit, um die Reichweite zu erhöhen und die Ladezeit zu verkürzen.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG
Ausgewählte Hebelprodukte auf Infineon
Mit Knock-outs können spekulative Anleger überproportional an Kursbewegungen partizipieren. Wählen Sie einfach den gewünschten Hebel und wir zeigen Ihnen passende Open-End Produkte auf Infineon
Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
Quelle: Infineon