Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON

23.04.24 07:30 Uhr

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EQS-Media / 23.04.2024 / 07:30 CET/CEST

Vishay setzt auf SiC-Multiwafer-Batch-Technologie von AIXTRON

Herzogenrath, 23. April 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat sich für die G10-SiC von AIXTRON (FSE: AIXA) entschieden, um die eigenen Kapazitäten im Bereich SiC-Epitaxie zur Produktion von Leistungsbauelementen hochzufahren. Die Lösung von AIXTRON wird künftig in Vishays automotive-zertifizierter Newport-Fabrik in Südwales zum Einsatz kommen. Die flexible Konfiguration der G10-SiC mit 9x150 mm oder 6x200 mm Wafern unterstützt den einfachen  Wechsel zu größeren Wafer-Durchmessern.

Vishay ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern und passiven elektronischen Komponenten. Diese Bauteile kommen in den Bereichen Industrie, Computer, Automobil, Konsumgüter, Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt, Stromversorgung und Medizintechnik in allen Arten von elektronischen Geräten und Systemen zum Einsatz.

„Die neue G10-SiC Epi-Produktionsanlage für die 200 mm Epitaxie ermöglicht eine hervorragende Kostenstruktur, die den Produktivitätszielen von Vishay entspricht. Dies in Kombination mit einer exzellenten Gleichförmigkeit über den gesamten 200-mm-Waferdurchmesser hinweg hat uns dazu veranlasst, AIXTRON-Technologie zu wählen. Das AIXTRON-Team hat eine einzigartige Lösung für präzise Kontrolle von Dotierstoffen und Schichtdicken auf 200 mm SiC-Wafern entwickelt. Diese Leistung wird über die gesamte 6x200 mm-Wafercharge mit einer beeindruckenden Run-to-Run-Stabilität gewährleistet“, sagte Danilo Crippa, Senior Director R&D für SiC-Entwicklung, Vishay Intertechnology, Inc.

„Wir freuen uns über die Gelegenheit, eng mit Vishay zusammenzuarbeiten und unser hochmodernes Epi-Produktionssystem mit flexibler 150 und 200 mm-SiC-Waferkonfiguration für Vishays automotive-zertifizierte Fabrik in Newport (Südwales) zu liefern. Unser starkes Kundenservice-Team im South Wales Compound Semiconductor Cluster unterstützt Vishay dabei, die SiC-Inhouse-Epitaxie in kürzester Zeit auf höchste Produktivität zu bringen“, sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President SiC, AIXTRON SE.

Seit ihrer Markteinführung im September 2022 hat sich AIXTRONs G10-SiC-Anlage schnell zur führenden Anlage für 150 mm- und 200 mm-SiC-Epitaxie entwickelt. Dank der neuesten technologischen Fortschritte bietet die Anlage erstklassige Uniformität in Kombination mit dem höchsten Wafer-Durchsatz pro m² Reinraumfläche auf dem Markt. Damit ermöglicht sie die Produktion von SiC-Leistungsbauelementen zu den niedrigsten Betriebskosten. Uniformität und Produktivität sind ausschlaggebend für die Produktionsausbeute und -kosten und damit entsprechend für die Elektrifizierung der Automobilbranche und weiterer Industriemärkte.

Ansprechpartner

Medien:
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

 

Investoren:
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Director Investor Relations (interim)
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e-mail c.werle.sc@aixtron.com

 

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

 

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

 

 

 

 



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