CISM at Swansea establishes UK’s first capability for 4-inch gallium oxide thin-film growth
31.03.25 20:51 Uhr
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The Centre for Integrated Semiconductor Materials (CISM) at Swansea University in South Wales has used a newly commissioned AIXTRON close-coupled showerhead (CCS) deposition system to establish the first capability in the UK for growing gallium oxide (Ga2O3) thin films on 4-inch substrates, which have been tested and shown to be very uniform and of extremely high quality, it is claimed...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Quelle: Semiconductor Today
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