MIT-led team develops low-cost, scalable process for integrating GaN transistors onto silicon CMOS chips
24.06.25 22:44 Uhr
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Gallium nitride (GaN) will likely be key for the next generation of high-speed communication systems and the power electronics needed for state-of-the-art data centers, but its high cost and the specialization required to incorporate it into conventional electronics have limited its use in commercial applications, notes the USA’s Massachusetts Institute of Technology (MIT)...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
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