Imec demonstrates record RF GaN-on-Si transistor performance
Werte in diesem Artikel
Imec of Leuven, Belgium has unveiled a gallium nitride (GaN) MOSHEMT (metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistor) on silicon (Si) that achieves both record efficiency and output power for an enhancement-mode (E-mode) device operating at low supply voltage. In parallel, the firm also demonstrated a record-low contact resistance of 0.024Ω·mm, which is essential to further boost output power in future designs. Imec says that the results mark a crucial step toward integrating GaN technology into next-gen mobile devices, particularly those targeting the 6G FR3 band between 7 and 24GHz. The results are being presented at the 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits in Kyoto, Japan, June 8-12...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
Ausgewählte Hebelprodukte auf GAN
Mit Knock-outs können spekulative Anleger überproportional an Kursbewegungen partizipieren. Wählen Sie einfach den gewünschten Hebel und wir zeigen Ihnen passende Open-End Produkte auf GAN
Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
Quelle: Semiconductor Today
Nachrichten zu GAN Limited Registered Shs
Analysen zu GAN Limited Registered Shs
Keine Analysen gefunden.