Sumitomo Electric and Osaka Metropolitan fabricate GaN HEMT on 2-inch polycrystalline diamond
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Japan’s Sumitomo Electric Industries Ltd (SEI) and Osaka Metropolitan University (OMU) have fabricated a gallium nitride high-electron mobility transistor (GaN HEMT) on a 2-inch polycrystalline diamond (PCD) substrate in a joint research project with the Japan Science and Technology Agency (JST). The technology is reckoned to be an important step toward achieving higher capacity and lower power consumption of core devices in mobile and satellite communications...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
Nachrichten zu Sumitomo Corp.
Analysen zu Sumitomo Corp.
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| 03.08.2011 | Sumitomo outperform | Macquarie Research |
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| 03.08.2011 | Sumitomo outperform | Macquarie Research |
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