Nagoya spinoff Photo electron Soul’s GaN-based e-beam technology targets semiconductor inspection & metrology
03.09.25 14:47 Uhr
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In late September, Japan-based KIOXIA Iwate Corp will begin evaluating a gallium nitride (GaN)-based electron-beam technology developed through joint research between Nagoya University spinoff Photo electron Soul Inc (PeS) and the Amano–Honda Laboratory at Nagoya University...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Quelle: Semiconductor Today
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