Infineon stärkt Position als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt mit 300-Millimeter-Fertigung nach Plan

München – 2. Juli 2025 – Um der steigenden Nachfrage nach Galliumnitrid-(GaN)-Halbleitern zu begegnen und von diesem Trend zu profitieren, stärkt die Infineon Technologies AG ihre Position als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt weiter. Heute gab das Unternehmen bekannt, dass seine Umsetzung der skalierbaren GaN-Fertigung auf 300-Millimeter-Wafern im Zeitplan liegt. Mit ersten Samples, die Kunden im 4. Quartal 2025 zur Verfügung stehen, ist Infineon in einer starken Position, um seine Kundenbasis zu erweitern und seinen Status als führendes GaN-Powerhouse weiter zu festigen.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG