EPC makes available engineering samples of 40V GaN power transistor
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Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA — which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) and integrated circuits for power management applications — has announced availability of the EPC2366, a 40V, 0.8mΩ device designed to displace legacy low-voltage silicon MOSFETs in demanding applications such as high-performance DC–DC converters and synchronous rectifiers. Engineering samples are available for qualified designs...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
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