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ROHM develops 5th generation SiC MOSFETs
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Power semiconductor maker ROHM Semiconductor of Kyoto, Japan has developed the latest device of its EcoSiC series: the 5th Generation silicon carbide (SiC) MOSFETs optimized for high-efficiency power applications. The technology is suitable for automotive electric powertrain systems – such as traction inverters for electric vehicles (xEVs) – as well as power supplies for AI servers and industrial equipment such as data centers...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today