Wegbereiter für Elektromobilität und industrielle Effizienz: Infineon setzt mit SiC-Superjunction-Technologie neue Maßstäbe

München, 6. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG gilt als Vorreiter bei der Markteinführung von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) sowie bei der Entwicklung der Trench-Technologie für SiC-MOSFETs, die exzellente Leistung mit hoher Robustheit kombinieren. Das CoolSiC™-Portfolio reicht heute von 400 V bis 3,3 kV und deckt ein breites Anwendungsspektrum ab, darunter elektrische Antriebe in Fahrzeugen, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Anlagen, Energiespeichersysteme und Hochleistungs-Traktionswechselrichter. Infineon baut nun auf seiner starken Erfolgsbilanz bei der Kommerzialisierung von SiC-Anwendungen und seiner Rolle als Vorreiter bei ladungskompensierten Silizium-Bauteilen (CoolMOS™) auf und stellt ein neues, Trench-basiertes SiC-Superjunction (TSJ)-Technologiekonzept vor.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG