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CoolSiC™ MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse: Mehr Leistungsdichte für Hochleistungsanwendungen

17.10.25 10:21 Uhr

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München, 17. Oktober 2025 – Hochleistungsanwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Batterie-Energiespeichersysteme sowie Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAVs) stellen immer höhere Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz auf Systemebene. Gleichzeitig entstehen neue Herausforderungen im Design: Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen, Robustheit gegenüber transienten Überlasten und eine optimierte Systemleistung sind gefragt. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG die CoolSiC™ MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse auf den Markt. Die Bauteile unterstützen höhere Zwischenkreisspannungen und ermöglichen eine verbesserte thermische Leistung, eine geringere Systemgröße sowie eine höhere Zuverlässigkeit.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG

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Quelle: Infineon

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30.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
09.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
12.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
05.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
04.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.

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