Infineon liefert Galliumnitrid (GaN)-Technologie für neue Generation von Solarmikroinvertern von Enphase Energy

12.11.25 10:01 Uhr

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München, Deutschland – 12. November 2025 – Die Infineon Technologies AG stellt ihre Galliumnitrid (GaN)-Technologie für die nächste Generation von Solarmikroinvertern von Enphase Energy, einem globalen Energietechnologie-Unternehmen und dem weltweit führenden Anbieter von Mikroinverter-basierten Solar- und Batteriesystemen, bereit. Die bi-direktionale CoolGaN™-Schalter-Technologie (bi-directional switch, BDS) von Infineon ermöglicht erhebliche Verbesserungen bei der Leistungsausgabe, der Energieeffizienz und der Systemzuverlässigkeit für die IQ9-Mikroinverter-Serie von Enphase. Für den neuen IQ9N-3P™-Commercial-Mikroinverter bedeutet das eine geringere Designkomplexität, sowie niedrigere Installations- und Systemkosten.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG

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Quelle: Infineon

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04.11.2025Infineon OutperformBernstein Research
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10.10.2025Infineon BuyDeutsche Bank AG
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10:26Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
11.11.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
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05.09.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
08.08.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
DatumRatingAnalyst
30.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
09.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
12.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
05.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
04.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.

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