AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert

AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert

 

Herzogenrath, 22. September 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert sein 100. G10-SiC-System aus. Dieser Meilenstein unterstreicht die starke Marktnachfrage nach der G10-SiC-Epitaxie-Batch-Technologie von AIXTRON in den letzten drei Jahren und stärkt die weltweite Fertigung von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen für die Leistungselektronik der nächsten Generation.

 

AIXTRON, führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute die Auslieferung seines 100. G10-SiC-Systems bekannt. Die Lieferung erfolgte an einen europäischen Hersteller von Leistungsbauelementen und -systemen und dient dem Ausbau seiner Produktionskapazitäten für 200 mm Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie.

 

Dieser Erfolg verdeutlicht die weltweite Nutzung der SiC Planetary Reactor®-Technologie von AIXTRON, die die Herstellung von sehr gleichmäßigem und qualitativ hochwertigem Siliziumkarbidschichten ermöglicht – einem der entscheidenden Schritte zur Produktion effizienter SiC-Leistungshalbleiter. Nur drei Jahre nach Markteinführung ist AIXTRONs fortschrittliche SiC-Epitaxieanlage weltweit bei den meisten Herstellern von SiC-Bauelementen, Halbleiterfertigungsbetrieben und Epitaxie-Dienstleistern im Einsatz.

 

„Die Auslieferung des 100. G10-SiC-Systems ist ein bedeutender Meilenstein für AIXTRON und unsere Kunden“, sagte Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Silicon Carbide bei AIXTRON. „Sie zeigt das große Vertrauen des Marktes in unsere Technologie und bestätigt unsere führende Rolle beim globalen Ausbau der SiC-Leistungselektronik – einem zentralen Treiber der fortschreitenden Elektrifizierung unserer Gesellschaft.“

 

Siliziumkarbid ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke, der die Leistungswandlung in verschiedensten Industriezweigen grundlegend revolutioniert. Dank seiner hohen Effizienz und Leistungsfähigkeit wird es zunehmend in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Stromversorgungen eingesetzt. Darüber hinaus findet Siliziumkarbid verstärkt Anwendung in kompakten Hochleistungsanwendungen – etwa bei leistungsstarken Stromversorgungen ab 12kW für KI-basierte Serverfarmen.

 

AIXTRONs G10-SiC-System kombiniert in seiner einzigartigen 6×200mm Multi-Wafer-Batch-Konfiguration höchste Produktionsleistung mit optimaler Qualität und Ausbeute der Epitaxialschichten. Die Multi-Ject®-Technologie sorgt für eine gleichmäßige Schichtbildung über ein breites Spektrum von Spannungsklassen der SiC-Halbleiter.

Die Anlage ermöglicht auch die Massenproduktion auf 150-mm-Wafern und garantiert damit Flexibilität während der Umstellung der Branche auf die größeren 200-mm-Waferformate.

 

 

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

 

 

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

 

 

 

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.