Infineon erweitert CoolSiC MOSFET 750 V G2-Familie mit ultra-niedrigem RDS(on) und neuen Gehäusen
10.12.25 10:21 Uhr
Werbung
Werte in diesem Artikel
München, 10. Dezember 2025 Infineon stellt neue Gehäuse für die CoolSiC MOSFET 750 V G2-Technologie vor, die für höchste Systemeffizienz und Leistungsdichte in Automotive- und Industrieanwendungen konzipiert sind. Diese neueste, innovative Technologie ist nun in einer Reihe von Gehäusen verfügbar, darunter Q-DPAK und D2PAK, und bietet ein Portfolio mit typischen Durchlass-Widerstandswerten von 4 mΩ bis zu 60 mΩ (bei 25°C).Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG
Ausgewählte Hebelprodukte auf Infineon
Mit Knock-outs können spekulative Anleger überproportional an Kursbewegungen partizipieren. Wählen Sie einfach den gewünschten Hebel und wir zeigen Ihnen passende Open-End Produkte auf Infineon
Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
Quelle: Infineon
